WEP074
ポスターセッション① 8月6日 61B 12:40-14:40
13kV SiC-MOSFETを用いた高電圧パルス電源の評価
Evaluation of high voltage pulsed power supply using 13kV SiC-MOSFET
○伊藤 俊輝1, 中田 恭輔1, 徳地 明1, 東使 潔2, 小林 進二2（1株式会社パルスパワー技術研究所, 2京都大学）
○Toshiki Ito1, Kyosuke Nakata1, Akira Tokuchi1, Kiyoshi Tohshi2, Shinji Kobayashi2（1Pulsed Power Japan Laboratory LTD., 2Kyoto University）
加速器研究や核融合研究用のパルス電源は、高電圧、大電流を必要とし、そのスイッチとしてサイラトロン、イグナイトロン等の電子管が用いられてきた。しかし、それらの電子管は部品ごとの性能のばらつき、寿命が短い､メンテナンスが必要等の課題がある。更には、研究分野でのニーズに反して､電子管市場の縮小により入手難易度の高まり､価格高騰､製造中止のリスクも抱えている。一方、近年ではそれらの問題解決の為、メンテナンス不要で半永久的な寿命を持つ半導体デバイスへ置換する動きが盛んである。本稿では､13kVという高い定格電圧を持つSiC-MOSFETを用いた高電圧パルス電源の出力試験結果について報告する。