WEP058

Nb₃Snは、従来のNbに比べて高い転移温度と臨界磁場を有しており、次世代の超伝導加速空洞材料として高い期待が寄せられている。現在広く用いられている蒸気拡散法では、成膜に専用の大型成膜炉を要するため、製造設備にかかるコストが大きい。一方、本研究で検討しているSnメッキ法を用いた成膜では、より汎用的な真空炉を利用できる可能性があり、産業応用や量産を見据えた実装性の観点からも有利な手法となり得る。さらに、Snメッキ法では成膜前にSn膜をあらかじめ形成することで、蒸気拡散法においてSnCl₂やSnの蒸気圧によって制限されていたNb₃Snの核生成および結晶成長の過程を、より緻密に制御できる可能性がある。本研究では、Nb基板上にSnをメッキし、その後の熱処理によってNb₃Sn膜を形成する手法について、サンプルベースでの基礎的な検討を行った。本発表では、Snメッキおよびその後の熱処理によって得られたNb₃Sn膜の構造・組成・超伝導特性を紹介し、Snメッキ法を用いたNb₃Sn成膜技術の有用性とその開発状況について報告する。