WEP054
ポスターセッション① 8月6日 61A 12:40-14:40
3GHzニオブ単セル空洞の縦型電解研磨
Vertical Electro-polishing of a 3GHz Niobium single-cell cavity
○仁井 啓介1, 上田 英貴1, 山口 隆宣1, 片山 領2, 佐伯 学行2, 不破 康裕3（1マルイ鍍金工業株式会社, 2KEK, 3JAEA）
○Keisuke Nii1, Hideki Ueda1, Takanori Yamaguchi1, Katayama Ryo2, Takayuki Saeki2, Yasuhiro Fuwa3（1Marui Galvanizing Co., Ltd., 2KEK, 3JAEA）
ニオブ製超伝導空洞の製造では、性能向上のための表面処理として電解研磨が採用されている。マルイ鍍金工業では、これまでKEK、CEA Saclay、コーネル大学と共同で1.3GHz単セル、1.3GHz9セル、704MHz単セルの各ニオブ製加速空洞の縦型電解研磨（VEP）用ニンジャカソードや電解研磨装置の開発、VEPの最適条件出しと実施、評価を行い、良好な加速性能を達成してきた。今回、新たにKEKと共同で3GHz単セル空洞についてVEPを実施した。3GHz単セル空洞は従来の1.3GHz単セル空洞に比べて全長、セル径が約半分程度の小型の空洞である。この空洞用のニンジャカソードとVEPセットアップを作製し、VEPを実施したので結果を報告する。