WEP046
ポスターセッション① 8月6日 6-1F 12:40-14:40
RCNP超伝導ECRイオン源の高耐圧構造の開発
Development of a High-Voltage-Resistant Structure for the Superconducting ECR Ion Source at RCNP
○辻坂 匡, 松田 洋平, 福田 光宏, 依田 哲彦, 神田 浩樹, 友野 大, 安田 裕介, 斎藤 高嶺, 田村 仁志, 永山 啓一, 荘 浚謙, 趙 航, Shali Ahsani Hafizhu, 松井 昇大朗, 井村 友紀, 石畑 翔, 板倉 菜美（大阪大学核物理研究センター）
○Tasuku Tsujisaka, Yohei Matsuda, Mitsuhiro Hukuda, Tetsuhiko Yorita, Hiroki Kanda, Dai Tomono, Yusuke Yasuda, Takane Saito, Hitoshi Tamura, Keiichi Nagayama, Tsun Him Chong, Hang Zhao, Shali Ahsani Hafizhu, Shotaro Matsui, Tomoki Imura, Sho Ishihata, Nami Itakura（Osaka univ. RCNP）
大阪大学RCNPの加速器は、原子核物理やRIの製造、医療応用など、さまざまな分野に対して大きな貢献をしている。加速器の機能向上、特に大強度化はこれらの分野の研究の大きな進歩につながる。RCNPではAVFサイクロトロンの更新が2019年より実施されてきた。この更新の一環で、入射効率向上のため、イオン源の加速電圧を旧来の15 kVから50 kVに引き上げた。NEOMAFIOSなどの軽イオン源では引き出し電圧の50 kV化はすでに達成した。これを超伝導ECRイオン源（SCECR）においても達成することを目指す。本研究では、有限要素法を用いた電場シミュレーションを行い、それをもとにコロナ放電や沿面放電を防ぐことができるような絶縁体の形状や電極配置に関する設計を行い、制作し、実際に耐圧試験を実施した。本発表ではその成果と現状を報告する。