WEP022
ポスターセッション① 8月6日 7-1F-B 12:40-14:40
GaNパワー半導体スイッチを用いた誘導性エネルギー蓄積方式パルスパワー電源の開発と高出力化に向けた課題
Development of Inductive Energy Storage Pulsed Power Generators Using GaN FET Switches and Issues for High-Power Increases
○長尾 和樹1, 須貝 太一2, 徳地 明2, 3, 江 偉華2（1小山工業高等専門学校, 2長岡技術科学大学, 3株式会社パルスパワー技術研究所）
○Kazuki Nagao1, Taichi Sugai2, Akira Tokuchi2, 3, Jiang Weihua2（1National Institute of Technology, Oyama College, 2Nagaoka University of Technology, 3Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.）
半導体スイッチを用いたパルスパワー電源は，学術分野にとどまらず産業界でも広く使われるようになってきた。制御可能な電力はまだまだ小さいが，優れた入手性と寿命の長さ，高速スイッチングと高い繰り返し動作は，産業界/学術分野で求められている需要と一致している。近年登場したワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)半導体は，耐圧特性が高く，また電流容量も多いだけでなく，オン抵抗も小さく，高速なスイッチングも可能であり，GaN半導体スイッチのパルスパワー利用に最適である。本研究では，GaN半導体スイッチを用いた誘導性エネルギー蓄積方式のパルスパワー電源を開発してきたので紹介し，高出力化に向けた課題と可能性についてまとめた。