FRP081
ポスターセッション③ 8月8日 61B 10:00-12:00
電子サイクロトロン共鳴イオン源での低Zイオン選択的加熱による多価イオン生成高効率化時のエミッタンス測定
Emittance measurement of ion beam current in selectively heating low Z ions on electron cyclotron resonance ion source
○井手 章敦1, 藤村 優志1, 得能 慎司1, 井上 大地1, 浅地 豊久2, 村松 正幸3, 北川 敦志3, 加藤 裕史1（1大阪大学, 2滋賀県立大学, 3量子科学技術研究開発機構）
○Akinobu Ide1, Yushi Fujimura1, Shinji Tokuno1, Daichi Inoue1, Toyohisa Asaji2, Masayuki Muramatsu3, Atsushi Kitagawa3, Yushi Kato1（1The University of Osaka, 2The University of Shiga Prefecture, 3QST）
私たちは電子サイクロトロン共鳴イオン源（ECRIS）における実験事実および理論的考察に基づく多価イオンの効率的な生成を目的とした研究を行っている. 多価イオン生成を効率化する手法として経験的に広く知られている低Zガスミキシングを行い，さらに、低周波数RF電磁波導入して，イオンの共鳴現象により低Zガスミキシング効果を助長させる実験を試みている． 具体的にはXeガスにArやHeガスを導入してイオンサイクロトロン共鳴(ICR)による低Zイオン(Ar+，He+)の選択的加熱を行い，能動的にXe多価イオンのクーリング効果を助長する．最初にECRISから10kVで引き出された多価イオンビーム電流の質量価数分布を測定し，低周波数RF電磁波導入で多価イオンの増加を確認した．He導入した場合はAr導入の場合に比べて多価Xeイオン電流量が大きく増加した．次に，Xe/ArおよびXe/Heで各イオンビームのエミッタンス測定行った．私たちのECRISでの磁場強度からエミッタンスに及ぼす影響はイオン温度の効果とほぼ同等程度と考えられる．そこで，磁場強度一定のもとで測定を行い，エミッタンス測定と対応するビーム電流プロファイルから導出されるrmsエミッタンス値からHe+およびAr+におけるICRの選択的加熱の効果を確認した．Xe多価イオンに関して同様の測定を行い，現在詳細データを取得中である．さらに，それぞれに対応するプラズマパラメータの測定も行っている．本報告では, これらの実験結果についての詳細を述べる.