FRP067
ポスターセッション③ 8月8日 61B 10:00-12:00
繰り返し周波数とギャップスイッチの自己破壊電圧のばらつきの関係
Relationship Between Repetition Frequency and Variation in Self-Breakdown Voltage
○中田 恭輔, 徳地 明（株式会社パルスパワー技術研究所）
○Kyosuke Nakata, Akira Tokuchi（PPJ）
昨今はSiCやGaNといった高性能な半導体スイッチが登場し、広く使われている。しかし、未だに数十kVや数kAの定格を持つ半導体スイッチは市販されていない。ギャップスイッチは構造が簡単で、半導体スイッチでは難しい高電圧・大電流のスイッチングを実現できるが、自己破壊電圧など不確定要素が多い。本研究では、ギャップスイッチの自己破壊電圧の繰り返し周波数によるばらつきを評価し、その結果を考察した。