FRP059
ポスターセッション③ 8月8日 61A 10:00-12:00
13kV SiC-MOSFET を用いた自己給電回路の開発
Development of the self-power feeding circuit using 13kV SiC-MOSFET
○川上 弘晶1, 生駒 直弥1, 徳地 明1, 高柳 智弘2, 不破 康裕2（1株式会社パルスパワー技術研究所, 2日本原子力研究開発機構）
○Hiroaki Kawakami1, Naoya Ikoma1, Akira Tokuchi1, Tomohiro Takayanagi2, Yasuhiro Fuwa2（1PPJ, 2JAEA）
半導体スイッチを用いた高電圧パルス電源において、高電圧に浮いた各段のスイッチにゲート駆動電力を供給する必要がある。通常は絶縁トランスを用いて地上から給電を行うが、電圧が高くなるとコロナ放電などの問題が生じる。この問題を解決する手法として、各段の印加電圧(高電圧)を降圧して制御電圧(低電圧)を生成する自己給電があり、当社では過去に 3kV の印加電圧から 5V の制御電圧を生成した実績がある。本研究では、13kV 耐圧の SiC-MOSFET を用いて 7kV の印加電圧から 5V の制御電圧を生成した。この成果により、スイッチ基板の高電圧化を行った場合にも、信頼性の高い給電が可能であることが示された。